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ICT测试原理

时间:2018-07-15| 作者:admin

ICT原理先容:

.隔离 ( Guarding )原理

隔离为ICT量测很主要的一种应用手艺,乃是将待测零件相毗连的零件给予隔离,使待测零件的量测不受影响,如下图所示,应用运算放大器设计之电压随耦器,使输出电压 ( VG )与其输入电压 ( VA )相等,及运算放大器之两输入端间虚地 ( Virtual Ground )的原理,使得与待测零件相连的零件之两头同电位,而不会爆发分流来影响待测零件的量测,犹如是已将将待测零件相毗连的零件给予隔离。

经由隔离之实验后,流经R1的电流几近零,不致影响R之量测。

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由于VG=VA,因此I3=0

以是R1=V/I1

 

隔离 ( Guarding )基来源理图

 

 

定电流丈量法

如下图所示,为被使用丈量大电阻的丈量法,乃是应用欧姆定律 ( Ohms Law )R = V / I,提供定电流源至待测电阻,再由其两头所量测之电压值,来盘算待测电阻之阻值。

 

定电流/电压丈量法

如下图所示,为常被使用之电阻的丈量法,乃是应用反相放大器 ( Inverting Amplifier )原理:Vo = -Vi * Rf / R,盘算出待测电阻Rdut= -Vi * Rf / Vi。

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.电容器的测试原理
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如上图所示应用运算放大器 ( OPA )之反相放大原理:Vo = -V * R / Xc,其中Xc =1/ ( 2pfC )乃电容所爆发的电抗,f为交流定电压的频率,再以角加速率『w = 2pf』来代表,则可由公式:C -Vo / ( V * w * R ),来盘算出电容之值

 定电流丈量 ( MODE C )

当电容值为10uF以上时,盘算时机自动设定DC电容量测法。此法是用DC定电流来使待测电容充电,然后由充电的时间可算出电容值
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如上图所示由于在充电电压与其充电时间成线性关系,故可由其斜率,来盘算出待测电容之值。

.电感器的测试原理
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如上图所示应用运算放大器 ( OPA )之反相放大原理:Vo = -V * R / XL,其中XL = ( 2pfL )乃电感所爆发的电抗,f为交流定电压的频率,再以角加速率『w = 2pf』来代表,则可由公式:L =- V * R  / (w * V0 ),来盘算出电感之值。

.通俗二极管的测试要领 (MODE D)

二极管接纳如下图所示之顺向电压丈量法,来区分二极管的优劣,正常的硅 ( Silicon )二极管之顺向电压约为0.7V,而锗 ( Germanium )二极管之顺向电压约为0.3V。

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.晶体管的丈量原理 ( 三端点 ) ( MODE TR )

晶体管的丈量要领如下图从晶体管的基极 ( Base )送脉波电压,由于晶体管事情于饱和状态 ( Saturation Status )时集极与射极之间所丈量的电压 ( Vce )会小于0.2V以下,因此可藉之来区分晶体管的优劣。

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六.短/路的测试原理 ( Open/Short Test )

学习短路表 ( Learning Short Pin Group Table )

短/开路 (  Open/Short ) 的测试数据可由学习一个良品的电路板而得。当学习时,盘算时机丈量恣意两个测试点 ( Test point )之间的阻值,然后爆发一个短路表 ( Short Pin Group Table ),学习时,恣意两点间的阻值小于20Ω(初使值)即被判断两点间为短路,不然为开路。

/开路测试

短/开路测试是凭证上述短路表的资料来做测试;先做短路测试 ( Short Test )再做断路测试 ( Open Test ),说明如下

路测试是测试在统一短路群 ( Short Pin Group )里的每一测试点间 ( Test point )是否有断路征象,判别开路的基准阻值是80Ω(初使值);也就是说恣意二点间的阻值若是大于80Ω(初使值),则被判断为开路过失 ( Open Fail )。

 

短路测试是测试恣意一短路群的测试点和其它短路群的测试点之间,是否有短路征象,判别短路的基准是5Ω(初使值);也就是说,若是恣意两点间的阻值是小于5Ω(初使值),则被判断为短路过失 ( Short Fail )。


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